آیا تفاوت قیمت قابل توجهی بین PTO-350 و PTO-500 وجود دارد؟

تفاوت قیمت بین PTO-350 و PTO-500 قابل توجه است-این شکاف بیشتر از یک عامل دو محور است که عمدتاً به دلیل افزایش پهنای باند و بهینه‌سازی عملکرد فرکانس بالا است:

محدوده قیمت پیشنهادی برای PTO-350 بین 10500 تا 11200 ین است. این یک مدل بسیار مقرون به صرفه و شاخص است که به طور گسترده در تنظیمات صنعتی مورد استفاده قرار می گیرد.

قیمت مرجع برای PTO-500 28900 ین است که تقریباً 2.6 برابر قیمت PTO-350 است.

عوامل فنی که باعث تفاوت قیمت می شوند:

ارتقاء پهنای باند: از 350 مگاهرتز به 500 مگاهرتز افزایش یافته است که نیازمند استفاده از مدارهای تبدیل الکترونیک نوری و تهویه سیگنال با کارایی بالاتر است.

بهینه‌سازی زمان افزایش: از 1 ns به 0.7 ns کاهش یافته است، و خواسته‌های سخت‌گیرانه‌تری را بر روی سرعت پاسخ و قابلیت‌های کنترل نویز انتهای پروب اعمال می‌کند.

قابلیت ضد تداخل پیشرفته: PTO-500 سرکوب dv/dt برتر را در محدوده فرکانس بالا ارائه می‌کند و آن را برای اندازه‌گیری‌های دقیق در محیط‌های پیچیده الکترومغناطیسی مناسب می‌کند.

سناریوهای کاربردی سطحی: PTO{2}}350 الزامات آزمایش معمول IGBT ها و اینورترها را برآورده می کند، در حالی که PTO-500 تحقیق و توسعه نیمه هادی های با شکاف گسترده (مانند SiC و GaN) را هدف قرار می دهد که نیازهای پیشرفته تر را برآورده می کند.

علیرغم تفاوت قیمت قابل توجه، هر دو مدل دارای مزایای اصلی-از جمله ولتاژ جداسازی 60 کیلوولت، انتقال فیبر{2}}نوری، منبع تغذیه باتری و ضمانت 3- ساله هستند که ایمنی و پایداری را تضمین می‌کند.

1. PTO-350: انتخاب صنعتی مقرون به صرفه

دارای پهنای باند DC–350 مگاهرتز و زمان افزایش 1 ns، که نیازهای{2}}گرفتن سیگنال فرکانس بالا در اکثر محیط‌های صنعتی را برآورده می‌کند.

دارای ظرفیت ورودی فوق‌العاده پایین تنها 1 pF است که اثرات بار را به حداقل می‌رساند و آن را برای آزمایش سیگنال‌های درایو گیت IGBT و ولتاژ باس ایده‌آل می‌کند.

با محدوده قیمت مرجع از 10500 تا 11200 ین، ارزش فوق العاده ای برای پول ارائه می دهد و به طور گسترده در برنامه هایی مانند اشکال زدایی اینورتر فتوولتائیک و آزمایش کنترل کننده موتور استفاده می شود.

2. PTO-500: فرکانس پیشرفته-مدل با دقت بالا

دارای پهنای باند ارتقا یافته DC-500 مگاهرتز است که امکان بازتولید دقیق جزئیات پالس مقیاس نانوثانیه- را فراهم می‌کند و آن را برای توصیف دینامیکی دستگاه‌های GaN مناسب می‌سازد. بهینه سازی طراحی تضعیف جلویی به طور قابل توجهی تداخل dv/dt را کاهش می دهد و خطر نوسان سیگنال را کاهش می دهد.